三星電子突破DRAM技術(shù)瓶頸 新結(jié)構(gòu)助力HBM4量產(chǎn)
據(jù)極客網(wǎng)報道，三星電子近日成功開發(fā)出新型DRAM結(jié)構(gòu)，在面積、散熱及傳輸效率方面實現(xiàn)重大突破。該技術(shù)將應用于1c DRAM制程，并計劃于下半年投入HBM4生產(chǎn)。
據(jù)悉，新結(jié)構(gòu)設(shè)計顯著改善了芯片的功耗表現(xiàn)和信息傳輸效率，同時有效控制了發(fā)熱問題。目前采用該技術(shù)的DRAM生產(chǎn)良率已突破60%大關(guān)，三星正持續(xù)優(yōu)化工藝以進一步提升良率。
行業(yè)觀察人士指出，這一技術(shù)突破將強化三星在高端存儲市場的競爭力。公司已啟動與客戶的聯(lián)合測試，為即將到來的HBM4量產(chǎn)做準備。此次創(chuàng)新有望為AI、高性能計算等領(lǐng)域提供更優(yōu)質(zhì)的存儲解決方案。
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