中科院突破雙向高導(dǎo)熱石墨膜技術(shù) 為5G芯片散熱難題提供關(guān)鍵解決方案

中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所與寧波大學(xué)團(tuán)隊(duì)在《Advanced Functional Materials》發(fā)表突破性研究,成功開(kāi)發(fā)出新型雙向高導(dǎo)熱石墨膜。該材料以芳綸膜為前驅(qū)體,通過(guò)高溫石墨化工藝制備,在40微米厚度下實(shí)現(xiàn)面內(nèi)熱導(dǎo)率1754 W/m·K、面外熱導(dǎo)率14.2 W/m·K的優(yōu)異性能。

研究顯示,氮摻雜與低氧含量前驅(qū)體可顯著提升石墨膜結(jié)晶質(zhì)量。在智能手機(jī)散熱測(cè)試中,該材料使芯片表面最高溫度降低7℃;在2000 W/cm2高熱流密度條件下,芯片表面溫差從50℃大幅降至9℃,展現(xiàn)出卓越的溫度均勻化能力。

此項(xiàng)技術(shù)突破了傳統(tǒng)導(dǎo)熱膜的性能局限,其獨(dú)特的雙向?qū)崽匦詾?G芯片、功率半導(dǎo)體等高功率器件提供了革命性的熱管理解決方案,有望推動(dòng)電子設(shè)備散熱技術(shù)邁上新臺(tái)階。

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2025-06-23
中科院突破雙向高導(dǎo)熱石墨膜技術(shù) 為5G芯片散熱難題提供關(guān)鍵解決方案
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