ROHM開發(fā)出650V耐壓IGBT “RGTV/RGW系列”

全球知名半導體制造商ROHM新開發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級低傳導損耗※1和高速開關特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速開關版)”，共21種機型。這些產(chǎn)品非常適用于UPS(不間斷電源)、焊接機及功率控制板工業(yè)設備、空調(diào)、IH(感應加熱)等消費電子產(chǎn)品的通用變頻器及轉換器的功率轉換。

此次開發(fā)的新系列產(chǎn)品采用薄晶圓技術及ROHM獨有結構，在具有權衡關系的低導通損耗和高速開關特性方面，獲得了業(yè)界頂級的性能。例如，在交錯式PFC電路中使用時，與以往產(chǎn)品相比，輕負載時效率提升1.2%，重負載時效率提升0.3%，有助于進一步降低應用的功耗。另外通過元器件內(nèi)部的優(yōu)化，實現(xiàn)了順暢的軟開關。與同等效率的普通產(chǎn)品相比，成功減少50%電壓過沖※4，從而減少以往需要用來對策的部件數(shù)量，可顯著減輕設計負擔。

本系列產(chǎn)品已于2017年10月開始出售樣品(樣品價格400日元～/個：不含稅)，并于2017年12月開始暫以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模開始量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為藍碧石半導體宮崎株式會社(日本宮崎縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand)(泰國)。

<背景>

近年來，隨著IoT進程帶來的數(shù)據(jù)量増加，對數(shù)據(jù)中心高性能化的要求越來越高。不僅服務器本身，包括進行主體電源穩(wěn)定供給所不可欠缺的UPS等在內(nèi)，系統(tǒng)整體的功耗量顯著增加，進一步降低功耗已成為重要課題。

另外，在使用IGBT的大功率應用中，為確保設備的可靠性，必須對可引發(fā)元器件故障或設備誤動作的開關時的過沖采取措施，簡化需求日益迫切。

<特點>

實現(xiàn)業(yè)界頂級的低傳導損耗和高速開關性能

在本新系列產(chǎn)品中，利用薄晶圓技術使晶圓厚度比以往產(chǎn)品再薄15%，另外采用ROHM獨創(chuàng)的單元微細化結構，成功實現(xiàn)業(yè)界頂級的低導通損耗(VCE(sat)=1.5V)和高速開關特性(tf=30～40ns)。

實現(xiàn)軟開關，減輕設備的設計負擔

通過元器件內(nèi)部優(yōu)化，實現(xiàn)了ON/OFF順暢切換的軟開關。由此，開關時產(chǎn)生的電壓過沖與普通產(chǎn)品相比減少了50%，可減少用來抑制過沖的外置柵極電阻和緩沖電路等部件數(shù)量。使用IGBT時，應用端不再需要以往需要的過沖對策，有利于減輕設計負擔。

<產(chǎn)品陣容>

產(chǎn)品陣容又新增了以“短路耐受能力保持2μs”為特點的RGTV系列和以“高速開關性能”為特點的RGW系列，能夠支持更廣泛的應用。

RGTV系列(短路耐受能力保持版)

RGW系列(高速開關版)

<應用>

工業(yè)設備(UPS(不間斷電源)、焊接機、功率控制板等)、空調(diào)、IH(感應加熱)　等

<術語解說>

※1導通損耗

MOSFET和IGBT等晶體管因元器件結構的緣故，在電流流動時發(fā)生電壓下降。

導通損耗是因這種元器件的電壓下降而產(chǎn)生的損耗。

※2　IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極晶體管)

MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低傳導損耗特性兼?zhèn)涞墓β示w管。

※3　短路耐受能力

對引起元器件損壞的短路(電子電路的2點用低阻值的電阻器連接)

的耐受能力。

※4　電壓過沖

開關ON/OFF時產(chǎn)生超出規(guī)定電壓值的電壓。

電壓值因過沖而暫時超出穩(wěn)態(tài)值，之后返回到接近穩(wěn)態(tài)值。

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