超致半導(dǎo)體獲數(shù)千萬元A輪融資

12月17日消息,國(guó)內(nèi)首家多層外延工藝高壓SJ MOSFET和SJ IGBT器件供應(yīng)商超致半導(dǎo)體完成數(shù)千萬元A輪融資,由聚卓資本、某知名產(chǎn)業(yè)基金共同完成本輪投資,盈杉資本擔(dān)任獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問。

本輪融資完成后將主要用于開發(fā)全系列600V Trench FS IGBT和SJ IGBT、開發(fā)第3代多層外延超結(jié)MOS(pitch:7um)等產(chǎn)品。

上海超致半導(dǎo)體科技有限公司成立于2015年,是一家專注于高端功率器件的半導(dǎo)體產(chǎn)品公司。目前超致半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)首家多層外延工藝的超結(jié)MOS供應(yīng)商(和英飛凌/ST相同工藝),已經(jīng)有了第一代和第二代的多層外延工藝從500V到800V全系列的超結(jié)MOS產(chǎn)品。超致SJ-MOSFET的第一代產(chǎn)品,性能和可靠性接近英飛凌C3,動(dòng)態(tài)特性接近C6,能完全替代英飛凌C3或C6產(chǎn)品。

免責(zé)聲明:本網(wǎng)站內(nèi)容主要來自原創(chuàng)、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿,凡在本網(wǎng)站出現(xiàn)的信息,均僅供參考。本網(wǎng)站將盡力確保所提供信息的準(zhǔn)確性及可靠性,但不保證有關(guān)資料的準(zhǔn)確性及可靠性,讀者在使用前請(qǐng)進(jìn)一步核實(shí),并對(duì)任何自主決定的行為負(fù)責(zé)。本網(wǎng)站對(duì)有關(guān)資料所引致的錯(cuò)誤、不確或遺漏,概不負(fù)任何法律責(zé)任。任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)站中的網(wǎng)頁或鏈接內(nèi)容可能涉嫌侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)或存在不實(shí)內(nèi)容時(shí),應(yīng)及時(shí)向本網(wǎng)站提出書面權(quán)利通知或不實(shí)情況說明,并提供身份證明、權(quán)屬證明及詳細(xì)侵權(quán)或不實(shí)情況證明。本網(wǎng)站在收到上述法律文件后,將會(huì)依法盡快聯(lián)系相關(guān)文章源頭核實(shí),溝通刪除相關(guān)內(nèi)容或斷開相關(guān)鏈接。

2021-12-17
超致半導(dǎo)體獲數(shù)千萬元A輪融資
超致半導(dǎo)體獲數(shù)千萬元A輪融資

長(zhǎng)按掃碼 閱讀全文