美日聯(lián)手研發(fā)2nm工藝 降低臺積電依賴癥

5月5日消息（南山）據(jù)日經新聞報道，美國與日本官方正攜手合作，研發(fā)2nm及以下的高端制造工藝，以降低對中國臺灣晶圓大廠臺積電依賴癥。當前在晶圓代工晶圓，臺積電占據(jù)高端市場近乎壟斷性份額。

據(jù)悉，這項合作已經接近達成協(xié)議。合作參與的機構包括日本的東京電子、佳能，在日本產業(yè)技術總合研究所研發(fā)，美國IBM公司參與。

從進展來看，臺積電3nm工藝在今年量產，預計2024年投產2nm工藝。韓國三星緊隨其后。英特爾的高端制造工藝“18A”，據(jù)悉相當于1.8nm，預計在2024年下半年投產。

臺灣業(yè)界對此感到憂心，甚至有臺灣媒體報道稱，如果美日聯(lián)手研發(fā)2nm工藝，最后必然會引發(fā)價格上的爭議，最遭的情況下是“強迫同業(yè)漲價”，以齊頭式平等的方式面對市場，最終受傷的是廣大終端消費者。

去年以來，臺積電一直消極抵抗美國的產業(yè)掌控。一方面，臺積電不得不前往美國建設晶圓廠，另一方面，又通過各種渠道，反復宣稱在美國建廠的高額成本和競爭力低下。同時，臺積電最大的客戶是美國企業(yè)群體。

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