據(jù)韓媒TheElec報(bào)道,三星和韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)已就FinFET技術(shù)專利訴訟達(dá)成和解。
圖源:TheElec
據(jù)悉,涉案的FinFET專利允許芯片在提高性能的同時(shí)降低功率,最初由KAIST和首爾國(guó)立大學(xué)教授Lee Jong-ho合作開發(fā),并于2001年在美國(guó)和韓國(guó)獲得了該項(xiàng)技術(shù)的專利。
KAIST于2016年11月29日在美國(guó)德克薩斯州地方法院對(duì)三星、高通和Global Founderies提起訴訟,指控他們?cè)谖唇?jīng)許可的情況下使用了其FinFET專利。2018年6月,陪審團(tuán)裁定三星的侵權(quán)金額達(dá)4億美元。
此外,KAIST于2019年2月再次起訴三星,聲稱盡管有之前的判決,三星仍在繼續(xù)侵犯專利。并指出三星在其應(yīng)用處理器中使用的14、11、10、8和7nm FinFET技術(shù)侵犯了其專利,將三星自2016年起推出的智能手機(jī)列為侵權(quán)產(chǎn)品。
今年2月,法院裁決三星賠償2億美元。不過(guò)現(xiàn)在三星和KAIST已達(dá)成和解,交易的詳細(xì)條款還尚未得知。
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