極客網(wǎng)消息，據(jù)韓媒BusinessKorea報道，半導體巨頭SK海力士在VLSI 2024峰會上展示了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果。該公司在實驗中實現(xiàn)了五層堆疊的3D DRAM內(nèi)存，其良率已達到56.1%，這一突破為3D DRAM技術(shù)的進一步發(fā)展提供了重要支撐。
與傳統(tǒng)的DRAM技術(shù)不同，3D DRAM采用垂直堆疊單元的方式，可以在相同的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的存儲密度。然而，SK海力士也指出，與2D DRAM的穩(wěn)定運行相比，3D DRAM的性能特征尚存在不穩(wěn)定性，需要堆疊更多的存儲單元才能實現(xiàn)廣泛應(yīng)用。
目前，SK海力士的五層堆疊3D DRAM已經(jīng)展現(xiàn)出了與當前2D DRAM相似的性能特性，這為其在市場上的商業(yè)化應(yīng)用打下了堅實的基礎(chǔ)。與此同時，另一家半導體巨頭三星也在積極開發(fā)16層堆疊的3D DRAM技術(shù)，并計劃在2030年左右實現(xiàn)該技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
盡管3D DRAM技術(shù)仍面臨一些挑戰(zhàn)，如堆疊層數(shù)的限制和性能穩(wěn)定性等問題，但SK海力士和三星等企業(yè)的持續(xù)研發(fā)和創(chuàng)新，為這一領(lǐng)域的未來發(fā)展帶來了更多可能性。隨著技術(shù)的不斷進步和成熟，3D DRAM有望在未來成為半導體存儲市場的重要力量。
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