在2021年國(guó)慶的最后一天，10月7日的三星代工論壇2021大會(huì)上，三星電子代工事業(yè)部總裁崔時(shí)英披露了三星3nm與2nm的芯片線路圖。據(jù)了解，三星基于環(huán)繞閘極（GAA）技術(shù)的3nm制程效能預(yù)計(jì)比基于鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）技術(shù)的5nm提升30%，功耗將減少50%，芯片占用面積將縮減35%。
這是三星電子首次透露2nm的制程規(guī)劃，在三星電子代工市場(chǎng)策略高級(jí)副總裁江文秀透露，三星電子推出的2nm制程將使用更先進(jìn)的GAA技術(shù)，采用該制程芯片的效能、功耗等關(guān)鍵表現(xiàn)將更上一層樓。
(圖片源于網(wǎng)絡(luò))
在代工市場(chǎng)上能與三星電子抗衡的就是臺(tái)積電了，從7nm制程開始到現(xiàn)在的5nm制程打的不相上下。圍繞3nm的競(jìng)爭(zhēng)，行業(yè)預(yù)估AMD將于明年末推出的新GPU或采用三星電子3nm制程的芯片。
臺(tái)積電將于2022年7月量產(chǎn)3nm制程的芯片，英特爾的CPU、GPU等都將采用臺(tái)積電的方案，不過不同于三星直接在3nm上運(yùn)用GAA技術(shù)，臺(tái)積電將在3nm制程繼續(xù)采用FinFET技術(shù)，在2nm時(shí)GAA技術(shù)才會(huì)使用。目前FinFET技術(shù)十分成熟，臺(tái)積電預(yù)估延續(xù)FinFET技術(shù)的3nm制程效能，可較5nm提升10%~15%，功耗減少25%~30%。
目前三星電子同時(shí)在開發(fā)多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MBCFET）技術(shù)，適用于2nm~3nm的芯片，與臺(tái)積電的新一輪芯片代工之爭(zhēng)即將展開。三星電子計(jì)劃明年上半年將GAA技術(shù)用于3nm制程、2023年用于第二代3nm制程、2025年用于2nm制程。
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