國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)取得重大進(jìn)展 氟化氬光刻機(jī)套刻≤8nm

9月15日消息,從工業(yè)和信息化部在官網(wǎng)公布的《首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024年版)》來看,國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)已取得重大突破,氟化氬光刻機(jī)套刻≤8nm。

在《首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024年版)》中,也公布了氟化氬光刻機(jī)其他的核心技術(shù)指標(biāo),晶圓直徑300mm,照明波長(zhǎng)193nm,分辨率≤65nm。

此外,《首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024年版)》中還有氟化氪光刻機(jī),晶圓直徑300mm,照明波長(zhǎng)248nm,分辨率≤110nm,套刻≤25nm。

除了光刻機(jī),工信部在印發(fā)的《首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024年版)》中,還有多類集成電路生產(chǎn)裝備,包括硅外延爐、濕法清洗機(jī)、氧化爐、涂膠顯影機(jī)、高能離子注入機(jī)、低能離子注入機(jī)、等離子干法刻蝕機(jī)、特種金屬膜層刻蝕機(jī)、化學(xué)氣相沉積裝備、物理氣相沉積裝備、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、激光退火裝備、光學(xué)線寬量測(cè)裝備。

光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等芯片生產(chǎn)關(guān)鍵設(shè)備取得突破,也就意味著我國(guó)芯片制造商在關(guān)鍵設(shè)備上有了更先進(jìn)的國(guó)產(chǎn)設(shè)備可用,有利于芯片產(chǎn)業(yè)鏈的國(guó)產(chǎn)化,也將提升國(guó)產(chǎn)芯片的水平,保障供應(yīng)。

工信部在官網(wǎng)公布的《首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024年版)》,包括15大類重大技術(shù)裝備,除了長(zhǎng)期困擾我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的光刻機(jī),還有高端工業(yè)母機(jī)、高端醫(yī)療裝備、精密儀器儀表等。(海藍(lán))

2024-09-15
國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)取得重大進(jìn)展 氟化氬光刻機(jī)套刻≤8nm
從工業(yè)和信息化部在官網(wǎng)公布的《首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024年版)》來看,國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)已取得重大突破,氟化氬光刻機(jī)套刻≤8nm,晶圓直徑300mm,照明波長(zhǎng)193nm,分辨率≤65nm。 工信部在印發(fā)的《首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024年版)》中,還有多類集成電路生產(chǎn)裝備,包括硅外延爐、濕法清洗機(jī)、氧化爐、涂膠顯影機(jī)、高能離子注入機(jī)、低能離子注入機(jī)、等離子干法刻蝕機(jī)、特種金屬膜層刻蝕機(jī)、化學(xué)氣相沉積裝備、物理氣相沉積裝備、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、激光退火裝備、光學(xué)線寬量測(cè)裝備。

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