三星電子宣布12nm級16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)

5月20日消息，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開始量產(chǎn)。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢。

與上一代產(chǎn)品相比，三星最新的12納米級DDR5 DRAM功耗降低了23%，晶圓生產(chǎn)率提高了20%。出色的能效表現(xiàn)，使它能夠成為全球IT企業(yè)的服務器和數(shù)據(jù)中心節(jié)能減排的優(yōu)秀解決方案。三星12納米級工藝技術(shù)的開發(fā)基于一種新型高κ材料，這種新型材料有助于提高電池電容。高電容使數(shù)據(jù)信號出現(xiàn)明顯的電位差，從而更易于準確地區(qū)分。同時，三星在降低工作電壓和噪聲方面的成果，也讓此解決方案更加適用于客戶公司的需求。

三星12納米級DDR5 DRAM最高可支持7.2吉比特/秒（Gbps）的速度，相當于每秒可處理大約兩部30GB的超高清電影。三星為滿足客戶需求將持續(xù)擴大12納米級DRAM的產(chǎn)品陣容，以支持越來越多的應用，助力數(shù)據(jù)中心、人工智能在內(nèi)的下一代計算。

三星在去年12月完成了16Gb DDR5 DRAM與AMD的兼容性評估，并將繼續(xù)與全球IT公司合作，推動下一代DRAM市場的創(chuàng)新。

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