三星平澤P4大轉(zhuǎn)型:PH1改造成NAND/DRAM混合工廠,PH2未來(lái)用途引猜測(cè)

三星電子加速平澤P4工廠投資 總投資或達(dá)7萬(wàn)億韓元

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,三星電子正在加快推進(jìn)平澤第四園區(qū)(P4)工廠二期(PH2)和四期(PH4)建設(shè)。該項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)約7萬(wàn)億韓元,外部建設(shè)工程將于今年下半年啟動(dòng)。

值得注意的是,原計(jì)劃作為NAND閃存工廠的一期(PH1)已轉(zhuǎn)型為混合生產(chǎn)線,同時(shí)生產(chǎn)NAND閃存和10納米級(jí)1a DRAM。目前該產(chǎn)線設(shè)備安裝已進(jìn)入最后階段。

針對(duì)二期(PH2)的用途,三星電子內(nèi)部仍在討論中。據(jù)悉,公司正評(píng)估將其作為專用DRAM生產(chǎn)基地或改造為混合晶圓廠的可行性。這一決策將影響三星在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的戰(zhàn)略布局。

行業(yè)觀察人士指出,隨著人工智能和高端計(jì)算需求激增,三星此次大規(guī)模投資將強(qiáng)化其在全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

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2025-06-26
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